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　株式会社東芝は、ＬＳＩの混載ＤＲＡＭの新技術として、３２Ｍｂの実用的容量で世界最高速８３３ＭＨｚを実現する回路を開発しました。今後、画像処理ＬＳＩの高速化等に応用していきます。

　本成果については、２月３日から米サンフランシスコで開催中の半導体国際学会ＩＳＳＣＣ（国際固体素子回路学会）において、本日（現地時間）講演を行いました。

　混載ＤＲＡＭは、外付けメモリに比べより高速参照できるため、大容量データを扱う画像処理ＬＳＩなどに採用されていますが、高精細動画の普及拡大などを背景に更なる高速化が求められています。

　今回当社は、対象領域を都度指定して読み書きする従来方式に替え、メモリ全体を仮想的に２分割して読み書きを並列・交互に処理して高速化する「擬似２ポート」方式を導入しました。
　これに対応してデータ入出力の命令系統を見直すなど回路全般を最適化し、幅広い用途向けに実用的とされる３２Ｍｂ以上の大容量混載ＤＲＡＭで世界最高速動作を実現しました。

　ＤＲＡＭ混載のシステムＬＳＩは、次世代の高性能デジタル家電や、ゲーム、携帯電話、プロジェクタなど、高精細映像の大容量データを高速で処理するアプリケーションを中心に採用が検討されています。

　当社では、新技術を最先端６５ｎｍシステムＬＳＩ向けに早期に適用し、市場のニーズに応えていきます。

［ 2008.02.07 木曜日 08:59   - ］

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リリース速報（提供：共同通信ＰＲワイヤー）

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