半導体のアルティア社、３ＧＰＰ対応ＬＴＥ製品発表
【ホッドハシャロン（イスラエル）１２日ＰＲＮ＝共同ＪＢＮ】携帯端末機向け世界最先端の第４世代（４Ｇ）モバイル半導体を開発しているイスラエルのファブレス半導体企業アルティア・セミコンダクター社は１２日、ベースバンド・プロセッサーとそれと対になるＭＩＭＯ・ＲＦトランシーバー・チップで構成され、ワールドワイドのＬＴＥ周波数帯とデュープレックス・モードをサポートするよう設計されている３ＧＰＰ－ＬＴＥに対応した製品ロードマップを発表した。
アルティア・セミコンダクターのオーデッド・メラメド最高経営責任者（ＣＥＯ）は「携帯用チップセット市場は極めて競争が激しく、チップ企業の基本戦略は顧客にターンキー・ソリューションを提供するため可能な限り広い市場をカバーできるベースバンド・プロセッサーとＲＦトランシーバー製品ポートフォリオを保有、提供することである。ＬＴＥテクノロジーは異なる市場と地域で多くの周波数帯とデュープレックス方式の組み合わせがある。これらをさまざまな組み合わせでサポート、提供できることが、アルティア社の主要な差別化の一例である」と語った。
アルティア社のＬＴＥ用チップセットは、同社独自開発で市場での実証済みのＯ２Ｐ（商標）というソフトウエアで定義される４Ｇプロセッサー・アーキテクチャーを採用して開発されており、他社には例のない低電力消費レベルで極めて高い性能を提供する。このテクノロジーは現在、モバイルＷｉＭＡＸ向けの同社製品『フォアギー（FourGee、商標）－２１５０』とＸＧＰ（次世代通信網）向け『フォアギー－４１５０』に採用されており、両製品ともハイ・パフォーマンスと消費電力効率面でそれぞれの市場のリーダーとして認められている」と語った。
アルティアのＬＴＥ製品ポートフォリオは以下で構成されている。
＊フォアギー（商標）－３１００：完全最適化されたＬＴＥ・ＣＡＴ－３ベースバンド・プロセッサーで、ＬＴＥに加えてＷｉＭＡＸ、ＸＧＰを含む４Ｇ／ＯＦＤＭ（直交周波数多重方式）テクノロジーを使用した方式をサポートし、２００９年第４四半期に出荷される。同チップはＰＨＹ、ＭＡＣ、ＲＬＣ、ＰＤＣＰ、ＲＲＣ、ＮＡＳを含む完ぺきなＬＴＥプロトコル・スタックでセットで販売される。
＊フォアギー（商標）－６１５０：ＭＩＭＯ用ＲＦトランシーバーであり、ＬＴＥ－ＴＤＤ（時分割同時送受信）をサポートする。この製品は今年半ばに出荷される。
＊フォアギー（商標）－６２００：マルチバンドＬＴＥ－ＦＤＤ（周波数分割同時送受信）・ＭＩＭＯトランシーバーであり、北米、日本、欧州で最も一般的なＬＴＥバンドをサポートする。同チップは２０１０年第２四半期に出荷される。
アルティア社の共同創業者であるイラン・イシェッド副社長（マーケティング・事業開発担当）は「アルティア製チップの持つ柔軟性と他の４Ｇテクノロジーに関する経験によって、われわれは世界のほかの企業より短期間、少ない資本投資でＬＴＥ製品の市場への提供が可能である。われわれは当社の既存の成功しているテクノロジーを活用して、最初でかつ最先端の商用グレードとのＬＴＥチップの一つを市場に提供することができる」と語った。
▽アルティア・セミコンダクター（Altair Semiconductor）社について
アルティアは世界をリードする超低電力消費、小型、高性能の４Ｇ（第４世代）半導体開発企業で、ブロードバンド帯域をノートＰＣとＵやＵＳＢアダプターの域を越えて、ケーブルから解放されたバッテリー駆動の携帯機器まで広げている。同社製品は、４Ｇテクノロジーを自社製品に統合する携帯機器メーカーに、電力消費が高度に最適化された堅牢でコスト／パフォーマンスの非常に高いソリューションを提供する。アルティア社は株式非公開企業であり、ベッセマー・ベンチャー・パートナーズ、ＢＲＭキャピタル、ＥＴＶキャピタル、ギザ・ベンチャー・キャピタル、エルサレム・ベンチャー・パートナーズ、パシフィック・テクノロジー・ファンドなどの投資企業による３回の資金拠出で総額４８００万ドルを調達している。
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- ［国際情報］半導体のアルティア社、３ＧＰＰ対応ＬＴＥ製品発表 2009/05/12 火曜日
