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富士電機、パワエレ機器の大幅な省エネに寄与するパワー半導体「トレンチゲート構造SiC-MOSFET」を開発

富士電機は、世界最高レベルの低抵抗を実現し、パワエレ機器の大幅な省エネに寄与するパワー半導体「トレンチゲート構造SiC-MOSFET」を開発した。

［ 2017/06/26 月曜日 23:40 機械・部品］

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［機械・部品］富士電機、パワエレ機器の大幅な省エネに寄与するパワー半導体「トレンチゲート構造SiC-MOSFET」を開発 2017/06/26 月曜日

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