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東芝とＩＢＭが半導体研究開発で提携関係を拡大

　東芝とＩＢＭは３２ナノメートル世代のバルクＣＭＯＳプロセス技術を共同開発することで合意した。

　両社は２００５年１２月から米ニューヨークの研究施設で３２ナノメートル以降の半導体プロセス技術の基礎研究を共同で進めてきたが今回の合意により、共同開発対象が３２ナノメートル世代のバルクＣＭＯＳプロセス技術までと拡大される。

　◆ナノメートル　１ナノは１０億分の１

［ 2007.12.19 水曜日 00:08   家電・電機・デジタル家電 ］

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データ速報（提供：共同通信ＰＲワイヤー）

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