ＮＥＣエレと東芝、ＩＢＭと28ナノ半導体プロセス技術で共同開発
ＮＥＣエレクトロニクスと東芝、米ＩＢＭの３社は１８日、民生機器向け２８ナノメートル（ｎｍ）半導体プロセス技術の共同開発を行うことで合意したと発表した。
ＮＥＣエレクトロニクスと東芝は、米ＩＢＭを中心に組織するテクノロジー・アライアンスに参加。ｈｉｇｈ－ｋメタルゲートを採用した２８ｎｍの低消費電力バルクＣＭＯＳプロセス技術を共同開発する。開発は米ニューヨークのイースト・フィッシュキルにあるＩＢＭの施設で行われる。
低消費電力版２８ｎｍプロセス技術は、次世代モバイル・コミュニケーション・デバイスや様々なコンシューマー向け電子機器の処理速度の向上や低消費電力化が期待されている。
今回の同技術における共同開発は、米ＩＢＭのテクノロジー・アライアンスによるｈｉｇｈ-ｋメタルゲートを採用した３２ｎｍプロセス技術の共同開発の成果に続くもの。今回の合意で、ｈｉｇｈ－ｋメタルゲートを採用した３２ｎｍプロセスにおける製品の設計をはじめ、わずかなデザイン変更で２８ｎｍプロセス技術に移行できる利点を活かし、製品の早期投入を実現させる。
東芝は２００７年１２月から、ＮＥＣエレクトロニクスは２００８年９月からＩＢＭのバルク半導体プロセス開発アライアンスに参加していた。
ＩＢＭのテクノロジー・アライアンスには、チャータード・セミコンダクター、ＧＬＯＢＡＬＦＯＵＮＤＲＩＥＳ、インフィニオンテクノロジーズ、ＮＥＣエレクトロニクス、サムスン電子、ＳＴマイクロエレクトロニクス、東芝が参加している。（情報提供：ファスニングジャーナル）
【関連記事・情報】
・住友重機械マリン、英アヴィバ設計支援の初タンカー引渡し - ファスニングジャーナル
前後の記事
記事バックナンバー
- ［電子・半導体］ＮＥＣエレと東芝、ＩＢＭと28ナノ半導体プロセス技術で共同開発 2009/06/19 金曜日
