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日本製鋼所と三菱ケミカル、GaN基板製造実証設備で4インチGaN結晶の成長を確認

https___imgix-proxy.n8s.jp_DSXZZO7771611019112021000000-1.jpgNEDOの「戦略的省エネルギー技術革新プログラム」において、日本製鋼所と三菱ケミカルは、パワーエレクトロニクス用大口径バルク窒化ガリウム(GaN)基板の実証開発に取り組んでいる。本実証開発では2021年5月に竣工した世界最大級のGaN基板製造実証設備を使い、高品質なGaN基板の低コスト製造技術「SCAAT(TM)-LP」を用いた4インチGaN基板の量産に向けた結晶成長試験を進めている。このたび4インチGaN結晶が計画通りに結晶成長していることを確認した。


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